STGAP2SICSTR
IC: driver; SiC MOSFET ゲートドライバー; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
メーカー: STMicroelectronics
メーカー品番:
STGAP2SICSTR
TMEシンボル:
STGAP2SICSTR
仕様
メーカー | STMicroelectronics | ||
集積回路タイプ | driver | ||
集積回路種類 | SiC MOSFET ゲートドライバー | ||
ケース | SO8-W | ||
出力電流 | -4...4A | ||
出力電圧 | 1.2kV | ||
チャンネル数 | 1 | ||
IC機能 | ガルバニック絶縁 | ||
マウント | SMD | ||
動作温度範囲 | -40...125°C | ||
梱包種類 | テーピング, リール |
供給電圧
- 3.1...5.5V
総重量1 g
証明書
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