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STN3P6F6

トランジスター: P-MOSFET; ユニポーラ; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STN3P6F6
TMEシンボル:
STN3P6F6

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
P-MOSFET
技術
SuperMesh™
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
-60V
ドレイン電流
-2A
電力損失
2.6W
ケース
SOT223
ゲートーソース電圧
±20V
ON抵抗値
0.16Ω
マウント
SMD
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
バージョン
ESD
総重量0.16 g
証明書
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STN3P6F6
1943 TMEに在庫あり
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メーカーによる梱包方法リール = 4 000 個