A1P35S12M3
모듈: IGBT; 트랜지스터/트랜지스터; IGBT 하프 브리지 x3,NTC 서미스터; Urmax: 1.2kV; 250W
제조자: STMicroelectronics
제조업체 부품 번호:
A1P35S12M3
TME 기호:
A1P35S12M3
사양
제조사 | STMicroelectronics | |
반도체 모듈 종류 | IGBT | |
반도체 구조 | 트랜지스터/트랜지스터 | |
토폴로지 | IGBT 하프 브리지 x3, NTC 서미스터 | |
최대 오프 상태 전압 | 1.2kV | |
집전극 전류 | 35A | |
사례 | ACEPACK™1 | |
애플리케이션 | 모터, 인버터 | |
전기 장착 | Press-in PCB | |
게이트-이미터 전압 | ±20V | |
펄스 집전극 전류 | 70A | |
전력 소모 | 250W | |
기계적 장착 | 나사 |
총 중량24.84 g
인증서
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* A1P35S12M3개 번호 (다수: 1)
12 TME에 재고 있음
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