APT35GP120B2D2G
트랜지스터: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
APT35GP120B2D2G
TME 기호:
APT35GP120B2D2G
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
트랜지스터 유형 | IGBT | |
기술 | POWER MOS 7®, PT | |
집전극 - 발사극 전압 | 1.2kV | |
집전극 전류 | 46A | |
전력 소모 | 543W | |
사례 | T-Max | |
게이트-이미터 전압 | ±30V | |
펄스 집전극 전류 | 140A | |
설치 | THT | |
게이트 충전 | 150nC | |
패키지의 종류 | 튜브 | |
켜기 시간 | 36ns | |
종료 시간 | 0.22µs | |
반도체 소자의 특징 | integrated anti-parallel diode |
총 중량6 g
인증서
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* APT35GP120B2D2G개 번호 (다수: 1)
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