APT40GR120B2D30
트랜지스터: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max; 부품 상태: 새 디자인에는 권장되지 않음
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
APT40GR120B2D30
TME 기호:
APT40GR120B2D30
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
트랜지스터 유형 | IGBT | |
기술 | NPT, POWER MOS 8® | |
집전극 - 발사극 전압 | 1.2kV | |
집전극 전류 | 40A | |
전력 소모 | 500W | |
사례 | T-Max | |
게이트-이미터 전압 | ±30V | |
펄스 집전극 전류 | 160A | |
설치 | THT | |
게이트 충전 | 0.21µC | |
패키지의 종류 | 튜브 | |
켜기 시간 | 47ns | |
종료 시간 | 232ns | |
반도체 소자의 특징 | integrated anti-parallel diode | |
부품 상태 | 새 디자인에는 권장되지 않음 |
총 중량6.76 g
인증서
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* APT40GR120B2D30개 번호 (다수: 1)
60 TME에 재고 있음
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