APT50GF120JRD
모듈: IGBT; 단일 트랜지스터; Urmax: 1.2kV; Ic: 64A; SOT227B; 나사; NPT; 튜브; 나사
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
APT50GF120JRD
TME 기호:
APT50GF120JRD
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
반도체 모듈 종류 | IGBT | ||
반도체 구조 | 단일 트랜지스터 | ||
최대 오프 상태 전압 | 1.2kV | ||
집전극 전류 | 64A | ||
사례 | SOT227B | ||
전기 장착 | 나사 | ||
게이트-이미터 전압 | ±30V | ||
펄스 집전극 전류 | 225A | ||
기술 | NPT | ||
패키지의 종류 | 튜브 | ||
기계적 장착 | 나사 |
총 중량30 g
인증서
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