+1500000 개 이상의 제품 제공
하루에 7000개의 패키지
150개국에서 28만 명 이상의 고객
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
트랜지스터 유형 | IGBT | |
기술 | POWER MOS 8®, PT | |
집전극 - 발사극 전압 | 900V | |
집전극 전류 | 64A | |
전력 소모 | 500W | |
사례 | T-Max | |
게이트-이미터 전압 | ±30V | |
펄스 집전극 전류 | 193A | |
설치 | THT | |
게이트 충전 | 162nC | |
패키지의 종류 | 튜브 | |
켜기 시간 | 44ns | |
종료 시간 | 352ns | |
반도체 소자의 특징 | integrated anti-parallel diode |