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APT80GP60B2G

트랜지스터: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max

제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY

제조업체 부품 번호:
APT80GP60B2G
TME 기호:
APT80GP60B2G

사양

제조사
MICROCHIP TECHNOLOGY
트랜지스터 유형
IGBT
기술
POWER MOS 7®, PT
집전극 - 발사극 전압
600V
집전극 전류
100A
전력 소모
1041W
사례
T-Max
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
330A
설치
THT
게이트 충전
280nC
패키지의 종류
튜브
켜기 시간
69ns
종료 시간
233ns
총 중량6 g
인증서

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APT80GP60B2G
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