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2026년 07월12일 오후 08시 00분 - 11시 00분 (CEST) 웹사이트 접속 및 온라인 주문에 문제가 발생할 수 있음을 알려드립니다. 불편을 끼쳐 드려 죄송합니다.
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
반도체 모듈 종류 | MOSFET / IGBT transistor | ||
반도체 구조 | 다이오드 / 트랜지스터 | ||
누극-원극전압 | 600V | ||
누극 전류 | 38A | ||
사례 | SP3F | ||
토폴로지 | 3단계 인버터; 단상, NTC 서미스터 | ||
전기 장착 | Press-in PCB | ||
전도 저항 | 45mΩ | ||
펄스 누극 전류 | 130A | ||
전력 소모 | 250W | ||
기술 | Field Stop, SJ-MOSFET, Trench | ||
게이트- 전원 전압 | ±20V | ||
기계적 장착 | 나사 | ||
집전극 전류 | 75A |