APTM100UM65SCAVG
모듈; SiC 다이오드/트랜지스터; 1kV; 110A; SP6; 나사; Idm: 580A; 3.25kW; Ugs: ±30V
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
APTM100UM65SCAVG
TME 기호:
APTM100UM65SCAVG
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
반도체 모듈 종류 | MOSFET 트랜지스터 | |
반도체 구조 | SiC 다이오드/트랜지스터 | |
누극-원극전압 | 1kV | |
누극 전류 | 110A | |
사례 | SP6 | |
토폴로지 | 단일 트랜지스터 + 직렬 다이오드 - 병렬 다이오드 | |
전기 장착 | 나사 | |
전도 저항 | 78mΩ | |
펄스 누극 전류 | 580A | |
전력 소모 | 3.25kW | |
기술 | POWER MOS 7®, SiC | |
게이트- 전원 전압 | ±30V | |
기계적 장착 | 나사 |
총 중량300 g
인증서
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* APTM100UM65SCAVG개 번호 (다수: 3)
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