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APTMC120HR11CT3AG

모듈; SiC 다이오드/트랜지스터,공공발사극; 1.2kV; 20A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 55A

제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY

제조업체 부품 번호:
APTMC120HR11CT3AG
TME 기호:
APTMC120HR11CT3AG

사양

제조사
MICROCHIP TECHNOLOGY
반도체 모듈 종류
MOSFET 트랜지스터
반도체 구조
공공발사극, SiC 다이오드/트랜지스터
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
20A
사례
SP3F
토폴로지
IGBT x2, MOSFET 하프 브리지, NTC 서미스터
전기 장착
Press-in PCB
전도 저항
98mΩ
펄스 누극 전류
55A
전력 소모
125W
기술
Field Stop, SiC, Trench
기계적 장착
나사
총 중량110 g
인증서

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APTMC120HR11CT3AG
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