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B1M080120HC

트랜지스터: N-MOSFET; SiC; 단극의; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W; TO247-3


제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
B1M080120HC
TME 기호:
B1M080120HC

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
N-MOSFET
기술
SiC
극화
단극의
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
27A
펄스 누극 전류
80A
전력 소모
241W
사례
TO247-3
게이트- 전원 전압
-5...20V
전도 저항
80mΩ
설치
THT
게이트 충전
149nC
패키지의 종류
튜브
채널 유형
향상된
총 중량6.26 g
인증서

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이 범주의 다른 제품 보기: THT N 채널 트랜지스터 BASiC SEMICONDUCTOR,
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B1M080120HC
36 TME에 재고 있음
다음의 수량에 대한 순 가격 1 pcs - 23.16 USD다음의 수량에 대한 총 가격 1 pcs - 23.16 USD
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개 번호 (다수: 1)
최소 주문 수량: 1.
다수: 1.
제조업체별 포장 방법 = 30 pcs