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B2M032120Y

트랜지스터: N-MOSFET; SiC; 단극의; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W; TO247PLUS-4

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
B2M032120Y
TME 기호:
B2M032120Y

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
N-MOSFET
기술
SiC
극화
단극의
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
60A
펄스 누극 전류
190A
전력 소모
375W
사례
TO247PLUS-4
게이트- 전원 전압
-4...18V
전도 저항
50mΩ
설치
THT
게이트 충전
40nC
패키지의 종류
튜브
채널 유형
향상된
반도체 소자의 특징
Kelvin 터미널
총 중량7.01 g
인증서

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B2M032120Y
51 TME에 재고 있음
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개 번호 (다수: 1)
제조업체별 포장 방법 = 30 pcs