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제조사 | BASiC SEMICONDUCTOR | |
트랜지스터 유형 | N-MOSFET | |
기술 | SiC | |
극화 | 단극의 | |
누극-원극전압 | 1.2kV | |
누극 전류 | 15A | |
펄스 누극 전류 | 39A | |
전력 소모 | 117W | |
사례 | TO263-7 | |
게이트- 전원 전압 | -4...18V | |
전도 저항 | 0.16Ω | |
설치 | SMD | |
게이트 충전 | 26nC | |
패키지의 종류 | 릴, 테이프 | |
채널 유형 | 향상된 | |
반도체 소자의 특징 | Kelvin 터미널 |