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B2M600170H

트랜지스터: N-MOSFET; SiC; 단극의; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W; TO247-3

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
B2M600170H
TME 기호:
B2M600170H

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
N-MOSFET
기술
SiC
극화
단극의
누극-원극전압
1.7kV
누극 전류
5A
펄스 누극 전류
10A
전력 소모
75W
사례
TO247-3
게이트- 전원 전압
-4...18V
전도 저항
0.6Ω
설치
THT
게이트 충전
14nC
패키지의 종류
튜브
채널 유형
향상된
총 중량6.2 g
인증서

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B2M600170H
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개 번호 (다수: 1)
제조업체별 포장 방법 = 30 pcs