BGH50N65HS1
트랜지스터: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
제조자: BASiC SEMICONDUCTOR
제조업체 부품 번호:
BGH50N65HS1
TME 기호:
BGH50N65HS1
사양
제조사 | BASiC SEMICONDUCTOR | |
트랜지스터 유형 | IGBT | |
기술 | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
집전극 - 발사극 전압 | 650V | |
집전극 전류 | 50A | |
전력 소모 | 357W | |
사례 | TO247-3 | |
게이트-이미터 전압 | ±20V | |
펄스 집전극 전류 | 200A | |
설치 | THT | |
게이트 충전 | 308nC | |
패키지의 종류 | 튜브 | |
켜기 시간 | 54ns | |
종료 시간 | 256ns | |
반도체 소자의 특징 | integrated anti-parallel diode |
총 중량6.26 g
인증서
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* BGH50N65HS1개 번호 (다수: 1)
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