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BGH50N65ZF1

트랜지스터: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
BGH50N65ZF1
TME 기호:
BGH50N65ZF1

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
IGBT
기술
Field Stop, SiC SBD, Trench
집전극 - 발사극 전압
650V
집전극 전류
50A
전력 소모
357W
사례
TO247-4
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
200A
설치
THT
게이트 충전
308nC
패키지의 종류
튜브
켜기 시간
54ns
종료 시간
476ns
반도체 소자의 특징
integrated anti-parallel diode
총 중량6.72 g
인증서

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BGH50N65ZF1
26 TME에 재고 있음
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개 번호 (다수: 1)
재고가 지속될 때까지 사용 가능한 제품
제조업체별 포장 방법 = 30 pcs