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BGH75N120HF1

트랜지스터: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
BGH75N120HF1
TME 기호:
BGH75N120HF1

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
IGBT
기술
Field Stop, SiC SBD, Trench
집전극 - 발사극 전압
1.2kV
집전극 전류
75A
전력 소모
568W
사례
TO247-3
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
200A
설치
THT
게이트 충전
398nC
패키지의 종류
튜브
켜기 시간
140ns
종료 시간
443ns
반도체 소자의 특징
integrated anti-parallel diode
총 중량6.217 g
인증서

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BGH75N120HF1
5 TME에 재고 있음
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개 번호 (다수: 1)
제조업체별 포장 방법 = 30 pcs