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BGH75N65HF1

트랜지스터: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
BGH75N65HF1
TME 기호:
BGH75N65HF1

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
트랜지스터 유형
IGBT
기술
Field Stop, SiC SBD, Trench
집전극 - 발사극 전압
650V
집전극 전류
75A
전력 소모
405W
사례
TO247-3
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
300A
설치
THT
게이트 충전
444nC
패키지의 종류
튜브
켜기 시간
104ns
종료 시간
376ns
반도체 소자의 특징
integrated anti-parallel diode
총 중량5 g
인증서

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BGH75N65HF1
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