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GD100PIX65C6S

모듈: IGBT; 다이오드 / 트랜지스터; boost chopper,삼상 다이오드 브리지; Urmax: 650V

제조자: STARPOWER SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
GD100PIX65C6S
TME 기호:
GD100PIX65C6S

사양

제조사
STARPOWER SEMICONDUCTOR
반도체 모듈 종류
IGBT
반도체 구조
다이오드 / 트랜지스터
토폴로지
삼상 다이오드 브리지, boost chopper, IGBT 삼상 브릿지 OE 출력, NTC 서미스터
최대 오프 상태 전압
650V
집전극 전류
100A
사례
C6 62mm
전기 장착
Press-in PCB
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
200A
기술
Trench FS IGBT
기계적 장착
나사
총 중량300 g
인증서
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GD100PIX65C6S
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