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GD450HTX170C7S

모듈: IGBT; 트랜지스터/트랜지스터; IGBT 하프 브리지 x3,NTC 서미스터; Urmax: 1700V; C7

제조자: STARPOWER SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
GD450HTX170C7S
TME 기호:
GD450HTX170C7S

사양

제조사
STARPOWER SEMICONDUCTOR
반도체 모듈 종류
IGBT
반도체 구조
트랜지스터/트랜지스터
토폴로지
IGBT 하프 브리지 x3, NTC 서미스터
최대 오프 상태 전압
1.7kV
집전극 전류
450A
사례
C7
전기 장착
나사, Press-in PCB
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
900A
기술
Trench FS IGBT
기계적 장착
나사
총 중량910 g
인증서
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GD450HTX170C7S
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