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ISO5851DW

IC: driver; IGBT 하프 브리지,MOSFET 하프 브리지; high-/low-side,게이트 드라이버

제조자: TEXAS INSTRUMENTS

제조업체 부품 번호:
ISO5851DW
TME 기호:
ISO5851DW

사양

제조사
TEXAS INSTRUMENTS
집적 회로 유형
driver
토폴로지
IGBT 하프 브리지, MOSFET 하프 브리지
집적 회로의 종류
게이트 드라이버, high-/low-side
사례
SO16-W
출력 전류
-5...2.5A
채널 수
2
집적 회로 특징
전기적으로 고립된
설치
SMD
작동 온도
-40...125°C
임펄스 상승 시간
35ns
펄스 하강 시간
37ns
입력 전압
3...5.5V
패키지의 종류
튜브
보호
저전압 UVP
절연 전압
5.7kV
전원 전압
  • 15...30V DC
총 중량0.1 g
인증서
이 범주의 다른 제품 보기: MOSFET/IGBT 드라이버 TEXAS INSTRUMENTS,
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ISO5851DW
0 TME에 재고 있음
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개 번호 (다수: 1)
제조업체별 포장 방법 = 40 pcs