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IXFN210N30P3

모듈; 단일 트랜지스터; 300V; 192A; SOT227B; 나사; 극화: 단극의; Idm: 550A; 1500W; 268nC

제조자: IXYS

제조업체 부품 번호:
IXFN210N30P3
TME 기호:
IXFN210N30P3

사양

제조사
IXYS
반도체 모듈 종류
MOSFET 트랜지스터
반도체 구조
단일 트랜지스터
누극-원극전압
300V
누극 전류
192A
사례
SOT227B
전기 장착
나사
극화
단극의
전도 저항
14.5mΩ
펄스 누극 전류
550A
전력 소모
1.5kW
기술
HiPerFET™, Polar3™
채널 유형
향상된
게이트 충전
268nC
역회복 시간
250ns
게이트- 전원 전압
±30V
기계적 장착
나사
총 중량37.05 g
인증서
이 범주의 다른 제품 보기: Transistor modules IXYS,
*
IXFN210N30P3
1 TME에 재고 있음
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개 번호 (다수: 1)
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제조업체별 포장 방법 = 10 pcs