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IXFN50N120SK

모듈; 단일 트랜지스터; 1.2kV; 48A; SOT227B; 나사; 극화: 단극의; SiC; 채널: 향상된; 115nC

제조자: IXYS

제조업체 부품 번호:
IXFN50N120SK
TME 기호:
IXFN50N120SK

사양

제조사
IXYS
반도체 모듈 종류
MOSFET 트랜지스터
반도체 구조
단일 트랜지스터
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
48A
사례
SOT227B
전기 장착
나사
극화
단극의
전도 저항
50mΩ
기술
SiC
채널 유형
향상된
게이트 충전
115nC
역회복 시간
54ns
게이트- 전원 전압
-5...20V
반도체 소자의 특징
Kelvin 터미널
기계적 장착
나사
총 중량36.6 g
인증서
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IXFN50N120SK
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