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제조사 | IXYS | |
반도체 모듈 종류 | MOSFET 트랜지스터 | |
반도체 구조 | 단일 트랜지스터 | |
누극-원극전압 | 40V | |
누극 전류 | 600A | |
사례 | SOT227B | |
전기 장착 | 나사 | |
극화 | 단극의 | |
전도 저항 | 1.3mΩ | |
펄스 누극 전류 | 1.8kA | |
전력 소모 | 940W | |
기술 | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
채널 유형 | 향상된 | |
게이트 충전 | 590nC | |
역회복 시간 | 100ns | |
게이트- 전원 전압 | ±30V | |
기계적 장착 | 나사 |