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MDNA360UB2200PTED

모듈: IGBT; 다이오드 / 트랜지스터; boost chopper,삼상 다이오드 브리지,NTC 서미스터; 나사

제조자: IXYS

제조업체 부품 번호:
MDNA360UB2200PTED
TME 기호:
MDNA360UB2200PTED

사양

제조사
IXYS
반도체 모듈 종류
IGBT
반도체 구조
다이오드 / 트랜지스터
토폴로지
삼상 다이오드 브리지, boost chopper, NTC 서미스터
최대 오프 상태 전압
1.7kV
집전극 전류
135A
사례
E2-Pack
전기 장착
Press-in PCB
게이트-이미터 전압
±20V
펄스 집전극 전류
280A
기계적 장착
나사
총 중량100 g
인증서
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*
MDNA360UB2200PTED
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