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WMSC010H12B1P6T

모듈; 트랜지스터/트랜지스터; 1.2kV; 107A; 토폴로지: MOSFET 하프 브리지,NTC 서미스터; 152W

제조자: WeEn Semiconductors

제조업체 부품 번호:
WMSC010H12B1P6T
TME 기호:
WMSC010H12B1P6T

사양

제조사
WeEn Semiconductors
반도체 모듈 종류
MOSFET 트랜지스터
반도체 구조
트랜지스터/트랜지스터
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
107A
토폴로지
MOSFET 하프 브리지, NTC 서미스터
전기 장착
Press-in PCB
전도 저항
10mΩ
펄스 누극 전류
210A
전력 소모
152W
기술
SiC
게이트- 전원 전압
-4...18V
기계적 장착
나사
총 중량20 g
인증서
이 범주의 다른 제품 보기: Transistor modules WeEn Semiconductors,
*
WMSC010H12B1P6T
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