+1500000 sản phẩm cung cấp

7000 đơn hàng mỗi ngày

300000 khách hàng đến từ 150 quốc gia

Quick Buy Mục ưa thích
Giỏ hàng

GD1000HFX170P2S

Mô-đun: IGBT; bóng bán dẫn/bóng bán dẫn; IGBT nửa cầu; Ic: 1000A


Nhà sản xuất: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Số bộ phận của nhà sản xuất:
GD1000HFX170P2S
Ký hiệu TME:
GD1000HFX170P2S

Quy cách

Nhà chế tạo
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Loại mô-đun bán dẫn
IGBT
Cấu trúc bán dẫn
bóng bán dẫn/bóng bán dẫn
cấu trúc liên kết
IGBT nửa cầu
Điện áp tối đa khi ở trạng thái ngắt mạch
1,7kV
Dòng điện cực thu
1kA
Trường hợp
P2.0
Hộp lắp điện
Đinh ốc
Điện áp cực cổng - cực phát
±20V
Dòng điện xung cực thu
2kA
Công nghệ
Trench FS IGBT
Lắp cơ khí
đinh ốc
Tổng trọng lượng1.21 kg
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Mô-đun IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD1000HFX170P2S
0 trong kho TME
Số chiếc (Bội số: 8)
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 8.
Bội số: 8.
Sản phẩm dành cho đơn hàng đặc biệt