+1500000 sản phẩm cung cấp

7000 đơn hàng mỗi ngày

300000 khách hàng đến từ 150 quốc gia

Quick Buy Mục ưa thích
Giỏ hàng

GD100MLX65L3S

Mô-đun: IGBT; đi-ốt/bóng bán dẫn; biến tần ba cấp; một pha; L3.1

Nhà sản xuất: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Số bộ phận của nhà sản xuất:
GD100MLX65L3S
Ký hiệu TME:
GD100MLX65L3S

Quy cách

Nhà chế tạo
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Loại mô-đun bán dẫn
IGBT
Cấu trúc bán dẫn
đi-ốt/bóng bán dẫn
cấu trúc liên kết
biến tần ba cấp; một pha, Nhiệt điện trở NTC
Điện áp tối đa khi ở trạng thái ngắt mạch
650V
Dòng điện cực thu
100A
Trường hợp
L3.1
Hộp lắp điện
Press-in PCB
Điện áp cực cổng - cực phát
±20V
Dòng điện xung cực thu
200A
Công nghệ
Trench FS IGBT
Lắp cơ khí
đinh ốc
Tổng trọng lượng39 g
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Mô-đun IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100MLX65L3S
0 trong kho TME
Số chiếc (Bội số: 16)
Sản phẩm dành cho đơn hàng đặc biệt