+1500000 sản phẩm cung cấp

7000 đơn hàng mỗi ngày

300000 khách hàng đến từ 150 quốc gia

Quick Buy Mục ưa thích
Giỏ hàng

GD200HFX65C8S

Mô-đun: IGBT; bóng bán dẫn/bóng bán dẫn; IGBT nửa cầu; Ic: 200A

Nhà sản xuất: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Số bộ phận của nhà sản xuất:
GD200HFX65C8S
Ký hiệu TME:
GD200HFX65C8S

Quy cách

Nhà chế tạo
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Loại mô-đun bán dẫn
IGBT
Cấu trúc bán dẫn
bóng bán dẫn/bóng bán dẫn
cấu trúc liên kết
IGBT nửa cầu
Điện áp tối đa khi ở trạng thái ngắt mạch
650V
Dòng điện cực thu
200A
Trường hợp
C8 48mm
Hộp lắp điện
Đầu nối FASTON, Đinh ốc
Điện áp cực cổng - cực phát
±20V
Dòng điện xung cực thu
400A
Công nghệ
Trench FS IGBT
Lắp cơ khí
đinh ốc
Tổng trọng lượng200 g
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Mô-đun IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C8S
0 trong kho TME
Số chiếc (Bội số: 16)
Sản phẩm dành cho đơn hàng đặc biệt