+1500000 sản phẩm cung cấp

7000 đơn hàng mỗi ngày

300000 khách hàng đến từ 150 quốc gia

Quick Buy Mục ưa thích
Giỏ hàng

GD30PJX65L2S

Mô-đun: IGBT; đi-ốt/bóng bán dẫn; boost chopper,cầu điốt ba pha


Nhà sản xuất: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Số bộ phận của nhà sản xuất:
GD30PJX65L2S
Ký hiệu TME:
GD30PJX65L2S

Quy cách

Nhà chế tạo
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Loại mô-đun bán dẫn
IGBT
Cấu trúc bán dẫn
đi-ốt/bóng bán dẫn
cấu trúc liên kết
boost chopper, cầu điốt ba pha, Đầu ra OE cầu ba pha IGBT, Nhiệt điện trở NTC
Điện áp tối đa khi ở trạng thái ngắt mạch
650V
Dòng điện cực thu
30A
Trường hợp
L2.2
Hộp lắp điện
Press-in PCB
Điện áp cực cổng - cực phát
±20V
Dòng điện xung cực thu
60A
Công nghệ
Trench FS IGBT
Lắp cơ khí
đinh ốc
Tổng trọng lượng24 g
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Mô-đun IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD30PJX65L2S
0 trong kho TME
Giá net cho số lượng từ 1 pcs - 37.85 USDGiá tổng cộng cho các số lượng từ 1 pcs - 37.85 USD
Giá net cho số lượng từ 3 pcs - 33.42 USDGiá tổng cộng cho các số lượng từ 3 pcs - 33.42 USD
Giá net cho số lượng từ 12 pcs - 30.04 USDGiá tổng cộng cho các số lượng từ 12 pcs - 30.04 USD
Giá net cho số lượng từ 24 pcs - 28.06 USDGiá tổng cộng cho các số lượng từ 24 pcs - 28.06 USD
Số chiếc (Bội số: 1)
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1.
Bội số: 1.