+1500000 sản phẩm cung cấp

7000 đơn hàng mỗi ngày

300000 khách hàng đến từ 150 quốc gia

Quick Buy Mục ưa thích
Giỏ hàng

GD35PJY120F2S

Mô-đun: IGBT; đi-ốt/bóng bán dẫn; boost chopper,cầu điốt ba pha


Nhà sản xuất: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Số bộ phận của nhà sản xuất:
GD35PJY120F2S
Ký hiệu TME:
GD35PJY120F2S

Quy cách

Nhà chế tạo
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Loại mô-đun bán dẫn
IGBT
Cấu trúc bán dẫn
đi-ốt/bóng bán dẫn
cấu trúc liên kết
boost chopper, cầu điốt ba pha, Đầu ra OE cầu ba pha IGBT, Nhiệt điện trở NTC
Điện áp tối đa khi ở trạng thái ngắt mạch
1,2kV
Dòng điện cực thu
35A
Trường hợp
F2.0
Hộp lắp điện
Press-in PCB
Điện áp cực cổng - cực phát
±20V
Dòng điện xung cực thu
70A
Công nghệ
Advanced Trench FS IGBT
Lắp cơ khí
đinh ốc
Tổng trọng lượng42 g
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Mô-đun IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD35PJY120F2S
0 trong kho TME
Giá net cho số lượng từ 25 pcs - 44.14 USDGiá tổng cộng cho các số lượng từ 25 pcs - 44.14 USD
Số chiếc (Bội số: 25)
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 25.
Bội số: 25.