STGAP2SICSCTR
IC: driver; Bộ nguồn cổng SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Nhà sản xuất: STMicroelectronics
Số bộ phận của nhà sản xuất:
STGAP2SICSCTR
Ký hiệu TME:
STGAP2SICSCTR
Quy cách
Nhà chế tạo | STMicroelectronics | |
Loại mạch tích hợp | driver | |
Loại mạch tích hợp | Bộ nguồn cổng SiC MOSFET | |
Trường hợp | SO8-W | |
Đầu ra hiện tại | -4...4A | |
Điện áp đầu ra | 1,2kV | |
Số kênh | 1 | |
chỉ số mạch tích hợp | cách ly điện hóa | |
Gắn | SMD | |
Nhiệt độ hoạt động | -40...125°C | |
Loại gói | băng dính, cuộn |
Điện áp cung cấp
- 3,1...5,5V
Tổng trọng lượng1 g
Chứng chỉ
Xem các sản phẩm khác trong danh mục này: Trình điều khiển MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRSố chiếc (Bội số: 1 000)
0 trong kho TME
Sản phẩm dành cho đơn hàng đặc biệt