AB2M040120Z
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
AB2M040120Z
Símbolo TME:
AB2M040120Z
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 51A | |
Corrente de dreno em impulso | 128A | |
Potência dissipada | 348W | |
Caixa | TO247-4 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 40mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 90nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | |
Aplicação | sector automóvel |
Peso bruto1 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* AB2M040120ZQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 3.79 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 3.79 USD