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Fabricante	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor	N-MOSFET x2
Polarização	unipolar
Tensão dreno-fonte	12V
Potência dissipada	3,1W
Caixa	DFN10
Tensão descarga-fonte	±8V
Resistência no estado de condução	2mΩ
Montagem	SMD
Carga da porta	60nC
Espécie de canal	enriquecido
Estrutura do semicondutor	drenagem comum
Versão	ESD

AOC3878

Transístor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3,1W; DFN10; ESD

Especificação

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