APT100GT120JRDQ4
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT100GT120JRDQ4
Símbolo TME:
APT100GT120JRDQ4
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 67A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 200A | |
Tecnologia | NPT, Thunderblot IGBT® | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* APT100GT120JRDQ4
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