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APT1201R6BVFRG

Transístor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A


Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
APT1201R6BVFRG
Símbolo TME:
APT1201R6BVFRG

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
POWER MOS 5®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
8A
Corrente de dreno em impulso
32A
Potência dissipada
280W
Caixa
TO247-3
Tensão descarga-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
1,6Ω
Montagem
THT
Carga da porta
230nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto6 g
Certificados

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APT1201R6BVFRG
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 24.71 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 24.71 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 21.84 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 21.84 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.