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APT28M120B2

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W

Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
APT28M120B2
Símbolo TME:
APT28M120B2

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
POWER MOS 8®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
18A
Corrente de dreno em impulso
104A
Potência dissipada
1135W
Caixa
TO247MAX
Tensão descarga-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
530mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
300nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto6 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
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APT28M120B2
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 30.90 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 30.90 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 27.29 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 27.29 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)