APT35GP120J
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT35GP120J
Símbolo TME:
APT35GP120J
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão máxima inversa | 1,2kV | ||
Corrente do coletor | 29A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Tensão porta - emissor | ±30V | ||
Corrente do coletor no impulso | 140A | ||
Tecnologia | POWER MOS 7®, PT | ||
Espécie de embalagem | tubo | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.43 g
Certificados
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* APT35GP120JQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
1 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.42 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 43.42 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 39.08 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 39.08 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 34.53 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 34.53 USD
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