APT45GP120JDQ2
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT45GP120JDQ2
Símbolo TME:
APT45GP120JDQ2
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 34A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±30V | |
Corrente do coletor no impulso | 170A | |
Potência dissipada | 329W | |
Tecnologia | POWER MOS 7® | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* APT45GP120JDQ2Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.15 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 43.15 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 41.66 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 41.66 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 38.68 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 38.68 USD
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