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APT50GN120L2DQ2G

Transístor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; TO264MAX


Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
APT50GN120L2DQ2G
Símbolo TME:
APT50GN120L2DQ2G

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor
IGBT
Tecnologia
Field Stop
Tensão coletor-emissor
1,2kV
Corrente do coletor
66A
Potência dissipada
543W
Caixa
TO264MAX
Tensão porta - emissor
±30V
Corrente do coletor no impulso
150A
Montagem
THT
Carga da porta
315nC
Espécie de embalagem
tubo
Tempo de ligação
55ns
Tempo de desligar
0,6µs
Propriedades de dispositivos semicondutores
integrated anti-parallel diode
Estado da peça
Não recomendado para novos projetos
Peso bruto6 g
Certificados

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APT50GN120L2DQ2G
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