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APT6011B2VRG

Transístor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A

Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY

Referência do Fabricante:
APT6011B2VRG
Símbolo TME:
APT6011B2VRG

Especificação

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
POWER MOS 5®
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
49A
Corrente de dreno em impulso
196A
Potência dissipada
625W
Caixa
TO247MAX
Tensão descarga-fonte
±30V
Resistência no estado de condução
0,11Ω
Montagem
THT
Carga da porta
450nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto6 g
Certificados

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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
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APT6011B2VRG
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 33.49 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 33.49 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 29.59 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 29.59 USD
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