APT60GF120JRD
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT60GF120JRD
Símbolo TME:
APT60GF120JRD
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 79A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±30V | |
Corrente do coletor no impulso | 300A | |
Tecnologia | NPT | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* APT60GF120JRDQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 107.93 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 107.93 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 97.14 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 97.14 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 85.83 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 85.83 USD
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