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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transístor | IGBT | |
Tecnologia | POWER MOS 8®, PT | |
Tensão coletor-emissor | 600V | |
Corrente do coletor | 68A | |
Potência dissipada | 520W | |
Caixa | T-Max | |
Tensão porta - emissor | ±30V | |
Corrente do coletor no impulso | 202A | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 198nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Tempo de ligação | 46ns | |
Tempo de desligar | 304ns | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | integrated anti-parallel diode |