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Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 110A | |
Caixa | SP6 | |
Topologia | transístor simples + díodo em série + díodo paralelo | |
Montagem elétrica | roscado | |
Resistência no estado de condução | 78mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 580A | |
Potência dissipada | 3,25kW | |
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |