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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	díodo SiC/transístor
Tensão dreno-fonte	500V
Corrente de dreno	110A
Caixa	SP6C
Topologia	meia ponte MOSFET + díodos em série + díodos paralelos
Montagem elétrica	FASTON conectores, roscado
Resistência no estado de condução	28mΩ
Corrente de dreno em impulso	600A
Potência dissipada	1,25kW
Tecnologia	POWER MOS 7®, SiC
Tensão descarga-fonte	±30V
Montagem mecânica	roscado

APTM50AM24SCG

Módulo; díodo SiC/transístor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1,25kW

Especificação

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca