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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transístor | N-MOSFET x2 | |
Polarização | unipolar | |
Espécie de transístor | RF | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 10A | |
Potência dissipada | 910W | |
Caixa | T3A-8 | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Frequência | 128MHz | |
Espécie de canal | depleção | |
Estrutura do semicondutor | fonte conjunta | |
Propriedades de dispositivos semicondutores | dual gate | |
Potência de saída | 900W | |
Montagem elétrica | FASTON conectores, solda, THT | |
Reforçados | 16dB | |
Eficiência | 55% | |
Montagem mecânica | roscado |