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B2M030120H

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 68A; Idm: 186A; 454W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M030120H
Símbolo TME:
B2M030120H

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
68A
Corrente de dreno em impulso
186A
Potência dissipada
454W
Caixa
TO247-3
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
30mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
115nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M030120H
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Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 3.76 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 3.76 USD
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 3.16 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 3.16 USD
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