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B2M032120Y

Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M032120Y
Símbolo TME:
B2M032120Y

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor
N-MOSFET
Tecnologia
SiC
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
60A
Corrente de dreno em impulso
190A
Potência dissipada
375W
Caixa
TO247PLUS-4
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Resistência no estado de condução
50mΩ
Montagem
THT
Carga da porta
40nC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Peso bruto7.01 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
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B2M032120Y
51 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 17.61 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 17.61 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 15.90 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 15.90 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 14.00 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 14.00 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 12.61 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 12.61 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 30 itens