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Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de transístor | N-MOSFET | ||
Tecnologia | SiC | ||
Polarização | unipolar | ||
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | ||
Corrente de dreno | 60A | ||
Corrente de dreno em impulso | 190A | ||
Potência dissipada | 375W | ||
Caixa | TO247PLUS-4 | ||
Tensão descarga-fonte | -4...18V | ||
Resistência no estado de condução | 50mΩ | ||
Montagem | THT | ||
Carga da porta | 40nC | ||
Espécie de embalagem | tubo | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin |