B2M040120H
Transístor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Referência do Fabricante:
B2M040120H
Símbolo TME:
B2M040120H
Especificação
Fabricante | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SiC | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 48A | |
Corrente de dreno em impulso | 123A | |
Potência dissipada | 333W | |
Caixa | TO247-3 | |
Tensão descarga-fonte | -4...18V | |
Resistência no estado de condução | 40mΩ | |
Montagem | THT | |
Carga da porta | 90nC | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M040120HQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 3.65 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 3.65 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 3.29 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 3.29 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 2.91 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 2.91 USD
Preço líquido para as quantidades de 120 itens - 2.62 USDPreço bruto para as quantidades de 120 itens - 2.62 USD
Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 2.44 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 2.44 USD